Kioxia, 2031 yılına kadar 1000’den fazla katmana sahip 3D NAND belleklerin seri üretimine başlamayı planlıyor. Şirketin baş teknoloji sorumlusu (CTO) Hidefumi Miyajima, Tokyo City Üniversitesi’nde 3D NAND belleklerde 1000’den fazla katman elde etmenin teknik zorluklarını ve çözümlerini tartıştı. 3D NAND belleklerde kayıt yoğunluğun arttırmanın en iyi yolu aktif katman sayısını arttırmaktan geçiyor. NAND bellek üreticileri de bu nedenle yıllardır katman sayısını arttırmak için uğraşıyor. Katman sayısının artırması için NAND hücrelerinin hem yatay hem de dikey olarak küçülmesi gerektiğinden, daha gelişmiş üretim süreçlerinin kullanılması gerekiyor. Bu da beraberinde yeni malzemelerin kullanılması gibi çeşitli zorlukları getiriyor.
Farklı bölümler, farklı üretim süreçleriyle üretilip birleştiriliyor
Şuanda Kioxia’nın en iyi 3D NAND bellekleri, 218 katmana ve 3,2 GT/s arayüze sahip 8. Nesil BiCS 3D NAND bellekleri. Bu nesilde, 3D NAND hücre dizisi plakaları ve I/O CMOS plakaları en uygun üretim teknolojisi kullanılarak ayrı ayrı üretilip, CBA (Diziye Doğrudan Bağlı CMOS) mimarisiyle birbirine bağlanıyor. Bu sayede yüksek bit yoğunluğu ve NAND I/O hızları elde edilebiliyor.
Üreticiler, bellek hücrelerini ve diğer devreleri ayrı ayrı üreterek, her bir bileşen için en verimli üretim süreçlerinden faydalanabiliyor. Bu da, ileride 1000 katmanlı 3D NAND yongalar için kullanılacak olan dizi istifleme gibi yöntemlere doğru ilerledikçe üreticilere avantaj sağlıyor.
Samsung‘un da ayrıca üretim seviyesinde 1000 katmanlı 3D NAND belleklere ulaşmayı hedeflediğini belirtelim.
